[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910221306.9 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740634A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明;秋元健吾;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;H01L21/203;H01L21/3205;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高使用氧化物半导体的薄膜晶体管的场效应迁移率。本发明的另一个目的在于使薄膜晶体管的电特性稳定。在包含氧化物半导体层的薄膜晶体管中，通过在该氧化物半导体层上形成其电导率高于该氧化物半导体层的半导体层或导电层，可以提高该薄膜晶体管的场效应迁移率。另外，通过在氧化物半导体层和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率高于该氧化物半导体层的半导体层或导电层，可以防止氧化物半导体层的组成的变化或氧化物半导体层的膜质的劣化，而使薄膜晶体管的电特性稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的源电极层及漏电极层；所述源电极层及所述漏电极层上的氧化物半导体层；以及所述氧化物半导体层上的半导体层，其中所述氧化物半导体层接触于所述栅极绝缘层和所述源电极层及所述漏电极层的侧面部，所述半导体层的电导率高于所述氧化物半导体层的电导率，并且所述氧化物半导体层和所述源电极层及所述漏电极层彼此电连接。
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