[发明专利]处理半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 200910221754.9 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101752215A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | G·施瓦布;D·费霍;T·布施哈尔特;H-J·卢特;F·索林格 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11)中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的表面氧化，其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触，而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91)和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11)中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的表面氧化，其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触，而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91)和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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