[发明专利]半导体结构及其形成和操作方法

摘要

与底半导体层具有相反导电类型的掺杂接触区域设置在底半导体层中的埋入绝缘体层下。至少一个导电通路结构从互连层级金属线延伸通过中段(MOL)电介质层、顶半导体层中的浅沟道隔离结构和埋入绝缘体层，并且到达该掺杂接触区域。该掺杂接触区域被偏置电压，该电压为RF开关的峰值电压或与其接近，以去除感生电荷层内的少数电荷载流子。少数电荷载流子通过该掺杂接触区域和至少一个导电通路结构排放。快速排放感生电荷层中的可移动电荷减少了RF开关中的谐波产生和信号衰减。还提供半导体结构的设计结构。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在绝缘体上半导体基板的顶半导体层上形成至少一个场效应晶体管，该绝缘体上半导体基板包括具有第一导电类型掺杂的底半导体层；在所述顶半导体层中形成浅沟道隔离结构，其中所述浅沟道隔离结构横向邻接和围绕所述至少一个场效应晶体管；在底半导体层中形成掺杂半导体区域，其中所述掺杂半导体区域邻接所述埋入绝缘体层，并且具有第二导电类型掺杂，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，并且其中所述掺杂半导体区域的至少一部分位于所述至少一个场效应晶体管一部分之下；在所述至少一个场效应晶体管和所述浅沟道隔离结构上形成中段电介质层；并且形成至少一个导电通路，其从所述中段电介质层的顶面延伸通过所述中段电介质层、所述浅沟道隔离结构、埋入绝缘体层而达到所述掺杂半导体区域。