[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体装置的方法，包括：提供一具有第一区域与第二区域的半导体基底；于该第一区域上形成一第一栅极结构，并于该第二区域上形成一第二栅极结构，该第一、第二栅极结构相应包括一第一、第二虚置介电质与第一、第二虚置栅极；从该第一、第二栅极结构相应移除该第一、第二虚置栅极与第一、第二虚置介电质，借此相应形成一第一、第二沟槽；形成一栅极层和一材料层以填充该第一与第二沟槽，该栅极层包括一高介电常数介电层；移除部分该材料层，使剩余部分保护该栅极层分别位于该第一与第二沟槽底部的一第一部分；移除该栅极层的一第二部分；移除该材料层的剩余部分；以及在该第一、第二沟槽中相应形成一第一、第二金属栅极。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括：提供一具有第一区域与第二区域的半导体基底；于该第一区域上形成一第一栅极结构，并于该第二区域上形成一第二栅极结构，该第一栅极结构包括一第一虚置介电质与第一虚置栅极，该第二栅极结构包括一第二虚置介电质与第二虚置栅极；从该第一栅极结构移除该第一虚置栅极与第一虚置介电质，借此形成一第一沟槽，并从该第二栅极结构移除该第二虚置栅极与第二虚置介电质，借此形成一第二沟槽；形成一栅极层以填充部分该第一与第二沟槽，该栅极层包括一高介电常数介电层；形成一材料层以填充剩余的该第一与第二沟槽；移除部分该材料层，使该材料层的剩余部分保护该栅极层分别位于该第一与第二沟槽底部的一第一部分；移除该栅极层的一第二部分；分别从该第一与第二沟槽移除该材料层的剩余部分；以及在该第一沟槽中形成一第一金属栅极，并在该第二沟槽中形成一第二金属栅极。