[发明专利]3DIC叠层中的冷却通道有效
| 申请号： | 200910222543.7 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740553A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 卿恺明;萧景文;王宗鼎;曾明鸿;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/473;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种包括3DIC叠层中的冷却通道的集成电路结构，该管芯包括：半导体衬底；第一介电层，在半导体衬底之上；互连结构，包括介电层中的金属线和通孔；多个通道，从半导体衬底内部延伸到介电层内部；以及介电膜，在互连结构之上并密封多个通道的一部分。多个通道被配置为使液体流过其中。 | ||
| 搜索关键词： | dic 中的 冷却 通道 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：第一管芯，包括：第一半导体衬底；第一介电层，在所述第一半导体衬底之上；第一互连结构，处于所述第一介电层中；第一多个通道，从所述半导体衬底的内部延伸至所述第一介电层的内部；以及第一介电膜，在所述第一互连结构之上并密封所述第一多个通道的一部分，其中，所述第一多个通道被配置为使液体流过其中。
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