[发明专利]氮化物类半导体激光元件和光拾取装置

摘要

本发明提供氮化物类半导体激光元件和光拾取装置。氮化物类半导体激光元件具备端面覆盖膜，该端面覆盖膜包括形成于氮化物类半导体层的光反射侧端面上的变质防止层、和形成于变质防止层上的反射率控制层。而且，反射率控制层由交替地层叠的高折射率层和低折射率层构成，变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别利用由氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成。另外，变质防止层具有与光反射侧端面相接的由氮化物构成的第一层，构成变质防止层的各层的厚度小于高折射率层的厚度，并且小于低折射率层的厚度。

主权项

一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，其具有光射出侧端面和光反射侧端面；以及端面覆盖膜，其包括形成在所述光反射侧端面上的变质防止层和形成在所述变质防止层上的反射率控制层，所述反射率控制层由交替地叠层的高折射率层和低折射率层构成，所述变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别由利用氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成，所述变质防止层具有与所述光反射侧端面相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第一层，构成所述变质防止层的各层的厚度小于所述高折射率层的厚度，并且小于所述低折射率层的厚度。