[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200910224385.9 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102087989A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;蒋昆坤;任华;任小兵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：形成开口暴露出衬底的硬掩模后，将所述衬底置于氧氛围中进行氧化处理；在所述氧化处理后，通过干法蚀刻在所述开口处的衬底中形成浅沟槽。所述浅沟槽隔离结构的制造方法能够形成较为圆滑的浅沟槽顶部倒角，且可降低出现工艺缺陷的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：形成开口暴露出衬底的硬掩模后，将所述衬底置于氧氛围中进行氧化处理；在所述氧化处理后，通过干法蚀刻在所述开口处的衬底中形成浅沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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