[发明专利]有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件有效
申请号: | 200910224556.8 | 申请日: | 2006-09-22 |
公开(公告)号: | CN101714569A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 安泽;徐旼彻;朴镇成 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L27/32;H01L51/05;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李家麟 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括:源极和漏极;有机半导体层,它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面;与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极;以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 制造 方法 包含 发光 显示 器件 | ||
【主权项】:
一种包括有机薄膜晶体管的电子设备,所述有机薄膜晶体管包括:源极和漏极;接触所述源极和漏极的有机半导体层,所述有机半导体层包括位于所述源极与漏极之间的沟道部分;与所述源极、所述漏极和所述有机半导体层绝缘的栅极,以及使所述栅极与所述源极、漏极和所述有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜,其中,所述有机半导体层的沟道部分具有第一厚度,其中所述有机半导体层的非沟道部分具有第二厚度,并且,其中所述第一厚度明显大于所述第二厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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