[发明专利]发光器件有效
申请号: | 200910224572.7 | 申请日: | 2004-12-24 |
公开(公告)号: | CN101714570A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 川上贵洋;土屋薰;西毅 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L27/15;H01L33/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种发光器件,其中减小了随着相对于可出射荧光的侧面的视角在发射光谱中的变化。根据本发明的发光器件,具有一个晶体管,一个覆盖该晶体管的绝缘层和在该绝缘层的开口中提供的一个发光器件。晶体管和发光器件通过连接部分电连接。此外,该连接部分通过贯穿绝缘层的接触孔与晶体管连接。注意绝缘层可以是单层或其中叠置了包括不同物质的多个层的多层。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:衬底;形成在所述衬底上的第一绝缘层;包括所述第一绝缘层上的源区与漏区之间的通道区的半导体层;在所述半导体层上的栅绝缘膜;在所述栅绝缘膜上的栅电极;覆盖所述栅电极的第二绝缘层;形成在所述第二绝缘层中的第一开口;覆盖所述第一开口和所述第二绝缘层以与所述第一绝缘层接触的第一电极;覆盖所述第二绝缘层和所述第一电极的堤层,其中所述堤层具有第二开口以曝露所述第一电极;形成在所述第二开口中所曝露的所述第一电极上的发光层;以及形成在所述发光层上的第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的