[发明专利]制造图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200910224732.8 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740508A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郑冲耕 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造图像传感器及其器件的方法。制造图像传感器的方法包括在半导体衬底上面和/或上方形成包括金属线的层间电介质层。制造图像传感器的方法包括在所述层间电介质层上面和/或上方形成图像感测部，所述图像感测部包括具有第一掺杂层和第二掺杂层的堆叠结构。制造图像传感器的方法包括通过将所述图像感测部和/或所述层间电介质层穿孔，形成暴露所述金属线的通孔。制造图像传感器的方法包括进行清洗工艺。当形成所述通孔时，在所述图像感测部上面和/或上方形成底切，和/或通过所述清洗工艺将自然氧化物层基本从所述底切中去除。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 图像传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括如下步骤：在半导体衬底上方形成包括金属线的层间电介质层；在所述层间电介质层上方形成图像感测部，该图像感测部包括具有第一掺杂层和第二掺杂层的堆叠结构；通过将所述图像感测部和所述层间电介质层穿孔，形成暴露所述金属线的通孔；以及对于具有所述通孔的所述半导体衬底进行清洗工艺，其中，当形成所述通孔时，在所述图像感测部中形成底切，通过所述清洗工艺将自然氧化物层从所述底切中基本上去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910224732.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：内窥镜及其弯曲管
- 下一篇：一种无外置水瓶的喷水拖把
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
