[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200910225020.8 | 申请日: | 2009-11-24 |
公开(公告)号: | CN101764093A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 朴正秀 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:沟槽,形成在半导体衬底中;第一反射部,形成在该沟槽中并具有倾斜曲面;第二反射部,形成在第一反射部上,使得沟槽的剩余空间由该第二反射部填充;以及垂直型光电二极管,形成在衬底的介于沟槽之间的区域上。所述制造图像传感器的方法包括以下步骤:在半导体衬底中形成沟槽;在沟槽中形成具有倾斜曲面的第一反射部;在第一反射部上形成第二反射部;使得沟槽的剩余空间由第二反射部填充;以及在衬底的介于沟槽之间的区域上形成垂直型光电二极管。本发明能够扩大光电二极管的光接收面积,使得光电二极管的光转换效率得以最大化。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括以下步骤:在半导体衬底中形成沟槽;在所述沟槽中形成具有倾斜曲面的第一反射部;在所述第一反射部上方形成第二反射部,使得所述沟槽的剩余空间由所述第二反射部填充;以及在所述衬底的邻近沟槽的区域上形成垂直型光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造