[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910225020.8 申请日: 2009-11-24
公开(公告)号: CN101764093A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 朴正秀 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L27/146
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种图像传感器及其制造方法,该图像传感器包括:沟槽,形成在半导体衬底中;第一反射部,形成在该沟槽中并具有倾斜曲面;第二反射部,形成在第一反射部上,使得沟槽的剩余空间由该第二反射部填充;以及垂直型光电二极管,形成在衬底的介于沟槽之间的区域上。所述制造图像传感器的方法包括以下步骤:在半导体衬底中形成沟槽;在沟槽中形成具有倾斜曲面的第一反射部;在第一反射部上形成第二反射部;使得沟槽的剩余空间由第二反射部填充;以及在衬底的介于沟槽之间的区域上形成垂直型光电二极管。本发明能够扩大光电二极管的光接收面积,使得光电二极管的光转换效率得以最大化。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种方法,包括以下步骤:在半导体衬底中形成沟槽;在所述沟槽中形成具有倾斜曲面的第一反射部;在所述第一反射部上方形成第二反射部,使得所述沟槽的剩余空间由所述第二反射部填充;以及在所述衬底的邻近沟槽的区域上形成垂直型光电二极管。
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