[发明专利]高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器有效
申请号: | 200910225371.9 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN101728450A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器,器件结构包括:衬底,此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料,该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜,的碲镉汞晶片,其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶,此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极,此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶,形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上,通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路,此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联,使信号读出。 | ||
搜索关键词: | 高占空 碲镉汞 长波 红外光 电导 探测器 | ||
【主权项】:
一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器,经阳极氧化处理的碲镉汞材料(12)的带有阳极氧化层(11)的一面镀ZnS抗反膜(10)后通过环氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)相连,其特征在于:所述的探测器的电极是从蓝宝石衬底(7)的背面引出的,在所述的蓝宝石衬底(7)上芯片列阵所处的相应位置用激光打出微孔列阵,通过电镀在微孔列阵中填满电镀金(8),对处理好的碲镉汞材料(12)光刻刻穿碲镉汞,制备出对应的面阵孔,通过井伸工艺将碲镉汞与电镀金(8)连在一起后,在蓝宝石衬底(7)背面的微孔列阵上长芯片铟柱(5),芯片铟柱(5)与电路板上的电路板铟柱(4)互连,将电信号从探测器衬底的背面引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的