[发明专利]半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法无效
| 申请号： | 200910225939.7 | 申请日： | 2009-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101740545A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 金伶厚;洪昌基;李在东 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法。在半导体装置的配线结构及其制造方法中，配线结构包括接触焊盘、接触插塞、间隔物和绝缘中间层图案。接触焊盘电连接到基板的接触区域。接触插塞设置在接触焊盘上并电连接到接触焊盘。间隔物面对接触焊盘的上部侧表面和接触插塞的侧壁。绝缘中间层图案具有开口、接触插塞以及设置在开口中的间隔物。配线结构的间隔物可以在形成连接到电容器的接触插塞时防止接触焊盘被清洗液损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种配线结构，包括：接触焊盘，电连接到基板的接触区域；接触插塞，设置在所述接触焊盘上并电连接到所述接触焊盘；间隔物，面对所述接触焊盘的上部侧表面和所述接触插塞的侧壁；具有开口的绝缘中间层图案，所述接触插塞和所述间隔物设置在所述开口中。
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