[发明专利]集成电路晶体管无效
| 申请号： | 200910226060.4 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740628A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘骏;A·拉特纳库玛尔;相奇;董晓琪 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 鄷迅;郑菊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种金属-氧化物-半导体晶体管。金属-氧化物-半导体晶体管可以形成在半导体衬底上。源极区和漏极区可以形成在半导体衬底中。例如高K电介质的栅极绝缘体可以形成在源极区和漏极区之间。栅极可以由多个栅极导体形成。栅极导体可以是具有不同功函数的金属。第一栅极导体可以形成邻近电介质间隔物的一对边缘栅极导体。边缘栅极导体之间的开口可以填充有第二栅极导体以形成中心栅极导体。可以使用自对准栅极形成工艺来制造该金属-氧化物-半导体晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金属-氧化物-半导体晶体管，包括：栅极导体，具有两个横向间隔的边缘栅极导体和位于所述两个边缘栅极导体之间的中心栅极导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司，未经阿尔特拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910226060.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水性木器漆旋风分散装置
- 下一篇：泡椒凤爪用压碎机
- 同类专利
- 专利分类
