[发明专利]刻蚀工艺的监控方法和监控系统有效
| 申请号： | 200910226101.X | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102074454A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈斌;郑清忠;刘海波;樊杨;刘江 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀工艺的监控方法及系统，该方法包括步骤：获取刻蚀机台的空闲时间；设定两个特定时间，其中第一特定时间小于第二特定时间；当空闲时间小于第一特定时间且连续刻蚀晶片数量大于预定量时，或当空闲时间大于第二特定时间，则对一模拟片进行刻蚀、切片测量，合格后进行晶片的刻蚀，不合格则对刻蚀参数进行调整并再次对模拟片进行刻蚀、切片测量至合格；当空闲时间大于第一特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀模拟片从而保持机台处于持续工作状态。本发明可以对刻蚀工艺进行监控，从而降低了刻蚀产生缺陷的可能，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 工艺 监控 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种刻蚀工艺的监控方法，其特征在于，包括步骤：获取刻蚀机台的空闲时间；设定两个特定时间，其中第一特定时间小于第二特定时间；当空闲时间小于第一特定时间且连续刻蚀晶片数量大于预定量时，或当空闲时间大于第二特定时间，则对一模拟片进行刻蚀、切片测量，合格后进行晶片的刻蚀，不合格则对刻蚀参数进行调整并再次对模拟片进行刻蚀、切片测量至合格；当空闲时间大于第一特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀模拟片从而保持机台处于持续工作状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
