[发明专利]一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法

摘要

本发明涉及一种光电材料技术，具体介绍了一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法，通过对ITO粉料在不同的温度下预先进行钝化处理，先使ITO粉料的粒度初步长大，活性降低，然后再将不同温度下钝化处理后的原料按不同的比例进行配料球磨，最后通过喷雾造粒、压制、常压气氛烧结等工序，制备晶粒度在4～10μm的细晶ITO靶材。本发明可通过常压气氛烧结制备出晶粒度小且分布均匀的ITO靶材，降低烧结温度，提高烧结效率；工艺简单、生产成本低廉，易于实现连续化、规模化生产，利于烧结大规格高品质的ITO靶材。

主权项

一种控制晶粒度制造ITO靶材的方法，其特征在于工艺过程包括：(1)将比表面积在15～35m2/g之间、纯度为4N的ITO粉先在10Mpa的压力下压制成素坯，将素坯破碎至粒度小于10mm的块状料后，再于800℃～1250℃加热2～4小时，最后将热处理后的块状料破碎至1.0mm以下，通过透射电镜观察该粉一次粒度在0.2～0.6μm之间，得到粉料A。(2)将比表面积在6～15m2/g之间、纯度为4N的ITO粉，不经压制直接于400℃～900℃加热2～4小时，处理后粉料的一次粒度经透射电镜观察在30～150nm之间，得到粉料B。(3)粉料A和粉料B按照质量比4∶6～9∶1的比例进行混合球磨，球磨溶剂采用去离子水，球磨至混合粉料比表面积为8～12m2/g时出磨，然后对球磨料浆进行喷雾造粒，得到造粒粉。(4)对造粒粉进行模压和冷等静压成型，先对造粒粉进行模压成型，模压压力10～15MPa，保压3～5min；然后再对其进行冷等静压成型即CIP成型，成型压力为150～300Mpa，保压3～5min，得到成型坯体。(5)将成型坯体于70～120℃加热干燥除去水分后，在常压通氧气氛下进行烧结，烧结温度为1450℃～1600℃，烧结时间为4～12小时。