[发明专利]一种MEMS非制冷双波段红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 200910228000.6 | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN101713688A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 胥超;徐永青 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | G01J5/22 | 分类号: | G01J5/22;G01J5/02;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 050051 河北省石家庄市中国*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种MEMS非制冷双波段红外探测器及其制备方法,该探测器包括硅衬底、底层电极、锚固于硅衬底上的微桥结构,其关键在于结构中还包括位于微桥结构与硅衬底形成的空腔内并锚固于底层电极两侧、硅衬底上的桥式可控反射层。桥式可控反射层借助起支撑作用的锚点和设置于桥式可控反射层与底层电极之间的静电驱动实现上下调节,从而使共振吸收腔的腔长可控,实现了波长为3μm-5μm和8μm-12μm双波段的响应。该探测器制备方法中采用两次表面牺牲层工艺在硅衬底上制备微桥结构和桥式可控反射层,工艺简单、易于实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 制冷 波段 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种MEMS非制冷双波段红外探测器,结构中包括硅衬底(1)、底层电极(2)、锚固于硅衬底(1)上的微桥结构,其特征在于:结构中还包括位于微桥结构与硅衬底(1)形成的空腔内并锚固于底层电极(2)两侧、硅衬底(1)上的桥式可控反射层(6)。
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