[发明专利]一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法，在蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长由N型GaN基半导体层、活性层和P型GaN基半导体层构成的GaN基LED发光材料，将薄膜GaN芯片的N型欧姆接触条状电极倒置式分布在镓面N型GaN半导体上，蓝宝石衬底剥离后制作N焊盘金属并连接到N型欧姆接触条状电极上，这种倒置式N电极设计，完全避开氮极性面N型欧姆接触电极制作难的问题，并且氮极性面的N型GaN的接触电极无劣化为肖特基接触，保证薄膜GaN发光器件具有较低的工作电压。

主权项

一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法，包括步骤：1)在蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长由N型GaN基半导体层、活性层和P型GaN基半导体层构成的GaN基LED发光材料；2)采用干法或湿法蚀刻去除部分区域的P型GaN基半导体层、活性层，裸露出镓面N型GaN基半导体，露出的区域形成相互连通的第一凹槽；3)在P型GaN基半导体表面沉积P型欧姆接触电极；4)在第一凹槽内沉积相互连通的N型欧姆接触条状电极；5)填充绝缘材料裹住N型欧姆接触电极并与P型欧姆接触电极上表面平齐；6)在P型欧姆接触电极及绝缘材料上方沉积上焊接金属，包含Au或者Au的合金；7)经过上述步骤形成的GaN基外延膜连接到导热基板上；8)将蓝宝石衬底剥离去除，露出氮面N型GaN半导体；9)采用干法或湿法蚀刻去除部分区域的N型GaN半导体，裸露出部分N型欧姆接触条状电极、绝缘材料及剩余厚度的GaN基外延，露出的区域形成第二凹槽；10)在第二凹槽内沉积N焊盘金属；11)在导热基板下表面沉积下电极。