[发明专利]一种平面化厚隔离介质形成方法有效
| 申请号： | 200910232877.2 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101702405A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 傅义珠;盛国兴;王佃利;刘洪军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种特别适用于硅微波功率晶体管和微波单片集成电路研制生产的平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化硅；三、再用CVD隔离介质将深孔覆盖，形成厚隔离介质。优点：隔离介质厚度可以通过孔的刻蚀深度调整，可以获得芯片一样厚的介质膜，同时保证硅片表面平坦度和细线条加工成品率，达到减小介质膜寄生电容的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面化 隔离 介质 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：一、在硅片表面刻蚀深孔阵列；二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化硅；三、再用CVD隔离介质将深孔覆盖，形成厚隔离介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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