[发明专利]一种PIN硅基薄膜太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 200910232884.2 | 申请日： | 2009-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101699633A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;黄海宾;吴天如;鲁林峰 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池器件技术领域，涉及PIN结硅基薄膜太阳能电池及其制备工艺。具体而言，对硅基薄膜太阳能电池的核心-PIN结的P-层，I-层，N-层均采用热丝化学气相沉积的方法制备，并且用热丝化学气相沉积的方法在P-层和I-层之间生长一层介质材料构成的钝化层。该热丝化学气相沉积法具有气源利用率高，生长速率快，减少界面缺陷等特点，所生长的薄膜中的H含量比PECVD法要高，悬挂键要比PECVD方法少，膜的质量更好。再加上P-层和I-层之间的钝化层可以钝化界面的悬挂键，并且通过隧道效应增加界面处的载流子迁移率，从而使得电池的效率得到更大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pin 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PIN硅基薄膜太阳能电池，其特征在于在透明导电导玻璃上采用热丝化学气相沉积的方法依次沉积硅基薄膜太阳能电池核心-PIN结的P-层，I-层、介电钝化层和N-层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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