[发明专利]一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910234399.9 申请日: 2009-11-24
公开(公告)号: CN101717202A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 赵青南;董玉红;卢秀强 申请(专利权)人: 江苏秀强玻璃工艺股份有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C03C17/36
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 叶连生
地址: 223800 江苏省宿*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明的目的在于提供一种用磁控溅射方法制备的完全截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法,包含完全截止紫外线阳光控制、完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法。在玻璃基片上镀制硅或硅合金膜作为紫外线吸收膜,利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm~550nm的特点,完全截止紫外线。所述的硅或硅合金膜层的厚度为10~200纳米,用Ar作为工作气体,工作气压为0.30~0.37Pa。用单纯硅靶材溅射沉积硅膜、或在单纯硅中掺加B、P、Al、C和Ge形成的硅合金靶材溅射沉积硅合金膜。本发明在汽车、火车、轮船、建筑、家电用玻璃材料和照明玻璃灯具工业方面具有广泛的应用,前景广阔。
搜索关键词: 一种 含有 硅膜层 截止 紫外线 镀膜 玻璃 及其 制备 方法
【主权项】:
一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃,其特征在于镀膜玻璃的膜系中含有硅或硅合金膜层,该镀膜玻璃是在玻璃基片上镀有硅或硅合金膜,形成完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃,或完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃,或完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃,完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃为:玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层,或玻璃-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层;完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃为:玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-氮化硅膜层,或玻璃-过渡层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层;完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃为:玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-氮化硅膜层,或玻璃-过渡层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层,或玻璃-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层、或玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层;利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm~550nm的特点,完全截止紫外线。
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