[发明专利]一种采用电阻温度补偿的亚阈基准源无效

专利信息
申请号: 200910236545.1 申请日: 2009-10-26
公开(公告)号: CN101697086A 公开(公告)日: 2010-04-21
发明(设计)人: 骆莉;蔡晓伟 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 史双元
地址: 100044 北京市西*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于电源温度补偿电路范围的一种采用电阻温度补偿的亚阈基准源,该亚阈基准源采用电阻阻值的正温度系数补偿电路及温度补偿基准电压源技术,由峰值电流镜、负温度系数电流产生电路、基准电压输出电路三部分组成。利用电阻阻值的正温度系数和电阻上电流的负温度系数以产生恒定的基准电压输出的亚阈基准电路。该电路能够在一定程度上克服由沟道长度调制效应带来的输出电压受电源电压波动而变化的影响,结构简单,功耗低,可以应用在低功耗设计的模拟集成电路,广泛应用于低功耗模拟、数模混合电路需要产生低温度系数的基准电压源电路中。
搜索关键词: 一种 采用 电阻 温度 补偿 基准
【主权项】:
一种采用电阻温度补偿的亚阈基准源,包括峰值电流镜电路(1)、负温度系数电流产生电路(2)、基准电压输出电路(3),其特征在于:通过峰值电流镜电路(1)、负温度系数电流产生电路(2)产生两路负温度系数电流,并将这两路负温度系数电流进行叠加,流过基准电压输出电路(3)的阻值为正温度系数的电阻R3,最后输出与温度近似无关的采用电阻温度补偿的亚阈基准源电压。所述的峰值电流镜电路(1),包括MOS管M1、M2、M3、M4,电阻R1;MOS管M1的源极连接到VDD,栅极连接到节点B,漏极连接到节点A,MOS管M2的源极连接到VDD,栅极和漏极都连接到节点B,电阻R1连接在节点A和节点C之间,MOS管M3的源极连接到GND,栅极连接到节点A,漏极连接到节点C,MOS管M4的源极连接到GND,栅极连接到节点C,漏极连接到节点B;所述的负温度系数电流产生电路(2),包括MOS管M5、M6、M7、M8、M9,电阻R2;MOS管M5源极连接到VDD,栅极连接到所述的峰值电流镜电路(1)的节点B,漏极连接到节点C,MOS管M6的源极连接到GND,栅极连接到节点E,漏极链接到节点C,MOS管M7的源极连接到VDD,栅极与源极连接到节点D,晶体管M8的源极连接到节点E,栅极连接到节点C,漏极连接到节点D,MOS管M9的源极连接到VDD,栅极连接到所述的峰值电流镜电路(1)的节点B,漏极连接到节点E,电阻R2连接在节点E与GND之间;所述的基准电压输出电路(3),包括MOS管M10、M11,电阻R3;MOS管M10的源极连接到VDD,栅极连接到所述的峰值电流镜电路(1)的节点B,漏极连接到节点Vref,MOS管M11的源极连接到VDD,栅极连接到所述的负温度系数电流产生电路(2)的节点D,漏极连接到节点Vref,电阻R3连接在节点Vref与GND之间;
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