[发明专利]对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液无效
| 申请号： | 200910237097.7 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102051179A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘雯;李越强;王晓东;陈燕凌;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。本发明提供的这种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，具有高的选择性腐蚀，能够实现GaAs太阳电池帽层选择腐蚀的目的，并且腐蚀液配制方便，具有很好的重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 太阳电池 进行 选择性 腐蚀 化学 | ||
【主权项】：
一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，其特征在于，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al0.8～0.9GaAs/GaAs的选择性腐蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910237097.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有线偏振吸收特性晶体的泵浦装置
- 下一篇：保护器接线脚
