[发明专利]APS太阳敏感器可识别多孔掩膜板有效
申请号: | 200910237338.8 | 申请日: | 2009-11-10 |
公开(公告)号: | CN101726994A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 崔坚;张建福;余成武;莫亚男;王立;刘江 | 申请(专利权)人: | 北京控制工程研究所 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G01C21/02 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | APS太阳敏感器可识别多孔掩膜板,所述的掩膜板包括玻璃基板及镀膜层,玻璃基板下表面镀膜,玻璃基板镀膜面上光刻至少3个成像小孔,任意两个成像小孔之间x方向距离、y方向距离中至少一个方向距离差异不小于20个像素,成像小孔方形区域边界边长不超过d单位mm,d=L-2htanα;其中,L为APS太阳敏感器中的图像传感器有效像平面边长;h为掩膜板到所述的图像传感器像平面的距离;α为APS太阳敏感器的视场角。本发明采用多孔阵中孔间特征独立,可快速识别被污染小孔,保证产品具有高的数据更新率,适于工程应用。 | ||
搜索关键词: | aps 太阳 敏感 识别 多孔 掩膜板 | ||
【主权项】:
APS太阳敏感器可识别多孔掩膜板,其特征在于:所述的掩膜板包括玻璃基板及镀膜层,玻璃基板下表面镀膜,玻璃基板镀膜面上光刻至少3个成像小孔,任意两个成像小孔之间x方向距离、y方向距离中至少一个方向距离差异不小于20个像素,成像小孔方形区域边界边长不超过d单位mm,d=L-2htanα;其中,L为APS太阳敏感器中的图像传感器有效像平面边长;h为掩膜板到所述的图像传感器像平面的距离;α为APS太阳敏感器的视场角。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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