[发明专利]一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法无效
| 申请号： | 200910237676.1 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101713788A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张跃;杨亚;齐俊杰;郭雯 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20;G01N3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，属于纳米/微米材料性能原位检测领域。其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形；在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。本发明方法简单，便于操作，应用范围广泛，测量时间短，便于解释和发现纳米/微米材料优异的力电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 微米 原位 弯曲 下力 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线/微米线原位弯曲下力电性能测试方法，其特征在于单个的纳米线/微米线被固定在扫描探针针尖和导电基底上，通过控制基底的上下移动实现对单个纳米线/微米线的弯曲变形；在纳米线/微米线弯曲的同时，通过在扫描探针和导电基底上施加电压测试电流信号，实现对纳米线/微米线在弯曲下的电学性能测量。
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