[发明专利]陶瓷喷涂部件制造方法有效
| 申请号： | 200910241612.9 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102082071A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 康明阳 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种陶瓷喷涂部件制造方法，涉及陶瓷喷涂部件的制造领域，为解决既能有效去除陶瓷层表面的有机物，使得陶瓷层表面在进行对水合处理时能得到充分的疏水性，同时又能避免对环境产生污染的问题而发明。陶瓷喷涂部件制造方法，包括在基底表面形成凸凹不平的表面；在所述凸凹不平的表面上形成陶瓷层；对所述陶瓷层表面的有机物进行干法清洗；对所述陶瓷层进行水合处理。本发明适用于陶瓷喷涂部件陶瓷层表面有机物等污渍的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 喷涂 部件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种陶瓷喷涂部件制造方法，其特征在于，包括：对基底表面进行处理，形成凸凹不平的表面；在所述基底上形成的凸凹不平的表面上，形成陶瓷层；对所述陶瓷层表面的有机物进行清洗；对所述陶瓷层进行水合处理，在所述陶瓷层的表面形成疏水层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
