[发明专利]一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法无效
| 申请号： | 200910241685.8 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102087092A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;王鑫华;刘新宇;欧阳思华;黄俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01B7/26 | 分类号： | G01B7/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，包括：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；对CV曲线通过数学变形得到C-2同栅压之间的关系，作C-2-V图；对C-2-V求微分，利用公式 |
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| 搜索关键词： | 一种 测量 algan gan hemt 器件 凹栅槽 深度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，其特征在于，包括：步骤1：测量AlGaN/GaN HEMT器件的CV曲线；步骤2：对CV曲线通过数学变形得到C-2同栅压之间的关系，作C-2-V图；步骤3：对C-2-V求微分，利用公式![]()
获得N(W)-V的关系；步骤4：利用公式![]()
获得W(V)-C的关系；步骤5：由于C与V的对应关系可得N(W)-W(V)的关系图；步骤6：在已知外延层结构的前提下，通过耗尽层同凹栅槽之间的关系，获得凹栅槽的深度。
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