[发明专利]一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法

摘要

本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后，可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄，提高了利用MOCVD外延的效率，节约了外延的材料和消耗的能源。

主权项

一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：通入III族有机源和V族NH3；步骤2：关闭III族有机源，通入SiH4或Cp2Mg进行掺杂；步骤3：关闭SiH4或Cp2Mg，重复步骤1和2至所需要的外延层厚度。