[发明专利]一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法有效
申请号: | 200910241919.9 | 申请日: | 2009-12-15 |
公开(公告)号: | CN101707089A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 王雷;马衍伟;齐彦鹏;王栋樑;张志宇;高召顺;张现平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/02 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种提高A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是,在A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材的先驱粉中添加银粉或铅粉,混合均匀后,将先驱粉压制成块,或填入金属管拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛下,经500-1100℃焙烧0.5-100小时,可以得到A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材。本发明有效提高了铁基超导体的上临界场和临界电流密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 超导体 临界 电流密度 方法 | ||
【主权项】:
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是:首先将Sr或Ba、K、Fe、As,SrAs或BaAs、FeAs、KAs,按摩尔比A∶K∶Fe∶As=1-x∶x∶2∶2(A=Ba或Sr,0≤x≤0.5)称量,放入球磨罐或研钵,在氩保护气氛下,将所述原料磨碎并混合均匀,制成先驱粉,或将混合均匀的原料物经500-1000℃烧结后的熟粉作为先驱粉;再将适量的Ag粉或Pb粉(质量比,Ag或Pb∶A1-xKxFe2As2=y∶1,0≤y≤0.5,A=Ba或Sr,0≤x≤0.5)添加到所述的先驱粉中,再次混合均匀;然后将掺有Ag或Pb的先驱粉压制成块,或填入金属管、复合金属管或合金管中,按照一定的道次加工率进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到线材或带材;最后,将加工成型的块材或线材或带材置于真空或氩保护气氛中,在500-1100℃的温度下烧结0.5-100小时,得到A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr,0≤x≤0.5)的块材或线材或带材。
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