[发明专利]一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法有效
| 申请号： | 200910242119.9 | 申请日： | 2009-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101710588A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王振兴;张志勇;彭练矛;王胜 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳基场效应晶体管的顶栅介质及其制备方法，氧化钇直接作为碳基场效应晶体管的顶栅介质。以碳纳米管或石墨烯等碳基材料作为导电通道，在沟道区域生长一层金属钇薄膜，然后通过热氧化的方法将钇氧化为氧化钇，得到的氧化钇薄膜作为顶栅介质。本发明首次实现了在碳纳米管和石墨烯表面直接生长高介电常数顶栅介质，解决了原子层沉积无法在碳纳米管或者石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题，氧化钇顶栅介质具有很高的介电常数和良好的绝缘性质，并实现高效的栅调制，且制作工艺简单，材料和工艺成本低廉，为碳基高性能器件的实现提供了一个解决方案，满足碳基规模化集成电路的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氧化钇作为碳基场效应晶体管的顶栅介质的用途。
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