[发明专利]一种检测三氯氢硅纯度的方法及装置有效
| 申请号： | 200910242233.1 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101706473A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 冯泉林;何自强;闫志瑞;库黎明;索思卓;葛钟;常青 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/64 | 分类号： | G01N27/64 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测三氯氢硅纯度的方法及装置，方法包括(1)将TCS储液罐中的TCS通过压力差压入缓冲罐，再从缓冲罐通过压力差压入反应罐；(2)TCS在反应罐中与预先加入的水反应，使TCS与水反应生成硅化物和盐酸，同时TCS含有的金属杂质与氯离子反应生成金属氯化物；(3)提取反应罐内的生成物后，用设备电感耦合等离子质谱进行分析，得到氯和金属的量，由氯换算成TCS的量，并计算出三氯氢硅的纯度。本发明的优点是：达到快速检验，装置取样简单，同时利用半导体厂现有的金属检验设备如ICP-MS(电感耦合等离子质谱)，避免了因劣质三氯氢硅污染设备而造成经济损失，且设备的利用率大大增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 三氯氢硅 纯度 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种检测三氯氢硅纯度的方法，其特征在于：它包括以下几个步骤：(1)、将TCS储液罐中的TCS通过压力差压入缓冲罐，再从缓冲罐通过压力差压入反应罐；(2)、TCS在反应罐中与预先加入的水反应，使TCS与水反应生成硅化物和盐酸，同时TCS含有的金属杂质与氯离子反应生成金属氯化物；(3)、提取反应罐内的生成物后，用设备电感耦合等离子质谱进行分析，得到氯和金属的量，由氯换算成TCS的量，并计算出三氯氢硅的纯度。
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