[发明专利]一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置有效
申请号: | 200910242236.5 | 申请日: | 2009-12-04 |
公开(公告)号: | CN101718487A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 盛方毓;冯泉林;闫志瑞;葛钟;陈海滨;库黎明;索思卓 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | F26B5/16 | 分类号: | F26B5/16;H01L21/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置,方法包括以下步骤:将硅片放入干燥槽,将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾,该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽。利用冷凝室对IPA汽雾“骤冷”,使得IPA汽雾中的大粒径液滴以及杂质颗粒被去除。利用加热控温室对IPA“骤热”,使IPA汽雾中气化的IPA的比例进一步增加。从而使得IPA汽雾能够均匀的凝结在纯水表面。本发明的优点是:由于IPA液滴中大颗粒液滴的有效消除,使得后序热氮气干燥的时间缩短。从整体上降低了硅片的清洗时间,提高了清洗机的利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 快速 干燥 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种硅片清洗后的快速干燥方法,其特征在于:它包括以下步骤:将硅片放入干燥槽,将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾,该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥硅片。
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