[发明专利]一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910242236.5 申请日: 2009-12-04
公开(公告)号: CN101718487A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 盛方毓;冯泉林;闫志瑞;葛钟;陈海滨;库黎明;索思卓 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
主分类号: F26B5/16 分类号: F26B5/16;H01L21/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 郭佩兰
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种硅片清洗后的快速干燥方法和装置,方法包括以下步骤:将硅片放入干燥槽,将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾,该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽。利用冷凝室对IPA汽雾“骤冷”,使得IPA汽雾中的大粒径液滴以及杂质颗粒被去除。利用加热控温室对IPA“骤热”,使IPA汽雾中气化的IPA的比例进一步增加。从而使得IPA汽雾能够均匀的凝结在纯水表面。本发明的优点是:由于IPA液滴中大颗粒液滴的有效消除,使得后序热氮气干燥的时间缩短。从整体上降低了硅片的清洗时间,提高了清洗机的利用率。
搜索关键词: 一种 硅片 清洗 快速 干燥 方法 装置
【主权项】:
一种硅片清洗后的快速干燥方法,其特征在于:它包括以下步骤:将硅片放入干燥槽,将异丙醇通入雾化室雾化成异丙醇汽雾,该异丙醇汽雾经冷凝室、加热室进入干燥槽干燥硅片。
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