[发明专利]一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器无效
申请号: | 200910242274.0 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN101719630A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 孙长征;黄缙;熊兵;罗毅 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01S5/40 | 分类号: | H01S5/40;H01S5/068;H01S5/34;G02B6/12 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器,属于光通信领域的光电子器件技术领域。该光电子器件将两个分布反馈半导体激光器集成在同一个衬底上,在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层。两个分布反馈半导体激光器具有相同周期的光栅结构,其波导存在一定弯曲角,从而造成两个分布反馈激光器的激射光波长存在一定差异,进而可用于全光时钟恢复。本发明结构新颖,制作工艺简单,将在未来的高速通讯领域具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 时钟 恢复 弯曲 波导 波长 激光器 | ||
【主权项】:
一种用于全光时钟恢复的弯曲波导双波长激光器,其特征在于,所述激光器是一种在同一芯片上集成了至少两个分布反馈半导体激光器的集成光电子器件,其结构为:依次外延生长在N型衬底上的如下外延层:下包层、下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层,在所述N型衬底上镀有N电极,在所述欧姆接触层上镀有P电极;以及,制作在所述上包层上的脊波导结构,在所述脊波导结构的两侧用SiO2绝缘层来覆盖或填平,并将脊波导顶上的SiO2绝缘层腐蚀掉;以及,两段依次分别集成在所述脊波导结构两端上的第一DFB激光器段和第二DFB激光器段,在所述第一DFB激光器段和第二DFB激光器段相连处设置电隔离区,在该电隔离区没有所述P电极和所述欧姆接触层;以及,在所述光栅层上在生长过程中制作出光栅结构。
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