[发明专利]一种钕铁硼磁体、制备方法及应用该磁体的器件有效
申请号: | 200910243055.4 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102103917A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 颜世宏;闫文龙;于敦波;李红卫;胡权霞;李世鹏;袁永强 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种钕铁硼磁体、制备方法及应用该磁体的器件,属于磁性材料领域。本发明的磁体的成分通式为: |
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搜索关键词: | 一种 钕铁硼 磁体 制备 方法 应用 器件 | ||
【主权项】:
1.一种钕铁硼磁体,其特征在于:它以通式
表示,R代表选自除Gd之外的稀土元素中的一种或两种,其中27wt%≤ξ≤35wt%;
0.5wt%≤θ≤3.5wt%,M1代表过渡族金属Cu、Al、Ge中的一种元素,含量0.05wt%≤k≤0.5wt%,M2为除Co、M1外的过渡族元素的一种或两种,含量为0≤y≤0.5wt%,B为元素硼,含量为0.9wt%≤m≤1.2wt%;余量为Fe及不可避免杂质。
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