[发明专利]一种钕铁硼磁体、制备方法及应用该磁体的器件有效

专利信息
申请号: 200910243055.4 申请日: 2009-12-22
公开(公告)号: CN102103917A 公开(公告)日: 2011-06-22
发明(设计)人: 颜世宏;闫文龙;于敦波;李红卫;胡权霞;李世鹏;袁永强 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 郭佩兰
地址: 100088*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种钕铁硼磁体、制备方法及应用该磁体的器件,属于磁性材料领域。本发明的磁体的成分通式为:R代表除Gd之外的稀土元素中的一种或两种,含量为27~35wt%;Gd的含量为0.55~2wt%,Co的含量为0.5~3.5wt%,M1代表过渡族金属Cu、Al、Ge中的一种元素,含量为0.05~0.5wt%,M2为除Co、M1外的过渡族元素的一种或两种,含量为0~0.5wt%,B为元素硼,含量为0.9~1.2wt%;余量为Fe及不可避免杂质;本发明磁体通过复合添加Gd、Co、M1及M2元素后,较好的提高了可逆磁感温度系数α及矫顽力温度系数β,且磁体矫顽力得到了大幅提高的同时保证磁能积和剩磁的不降低,有效利用重稀土元素Gd,提高性能的同时也很好的节约了制造成本。
搜索关键词: 一种 钕铁硼 磁体 制备 方法 应用 器件
【主权项】:
1.一种钕铁硼磁体,其特征在于:它以通式表示,R代表选自除Gd之外的稀土元素中的一种或两种,其中27wt%≤ξ≤35wt%;0.5wt%≤θ≤3.5wt%,M1代表过渡族金属Cu、Al、Ge中的一种元素,含量0.05wt%≤k≤0.5wt%,M2为除Co、M1外的过渡族元素的一种或两种,含量为0≤y≤0.5wt%,B为元素硼,含量为0.9wt%≤m≤1.2wt%;余量为Fe及不可避免杂质。
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