[发明专利]一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910243307.3 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101710525A | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 于广华;丁雷;滕蛟;李明华;冯春 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/08 | 分类号： | H01F10/08;H01F10/14;H01F41/18;H01L43/12;H01L43/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。该方法主要优点是材料结构设计简单，磁场灵敏度提高明显，基本上能够与某些隧道磁电阻(TMR)薄膜材料和相应元件磁场灵敏度相当；同时克服了以往材料体系工艺中当NiFe层较薄时在一定温度下处理材料或器件带来的薄膜界面处固相反应所导致的“磁死层”，因此，该材料可以用于制作高灵敏磁电阻传感元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 灵敏 磁电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超高灵敏磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述磁电阻薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层。
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