[发明专利]一种用于强电场测量的栅格电极光电集成传感器

摘要

本发明涉及一种用于强电场测量的栅格电极光电集成传感器，属于高电压测量技术领域。本发明采用具有电光效应的晶片，在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成两端Y形分叉、中间互相平行的光波导，在互相平行的两段光波导中的一段上方设置栅格电极。栅格电极由两条横向电极及连接横向电极的多条纵向电极构成。本发明提出的用于强电场测量的栅格覆盖光电集成传感器，可以满足大于100kV/m的强电场的测量，而且最大程度的减少电极下Si基涂层对于传感器静态工作点的影响，有效提高其测量稳定性；减少金的用量，降低产品成本。

主权项

一种用于强电场测量的栅格电极光电集成传感器，其特征在于采用具有电光效应的晶片，在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成两端Y形分叉、中间互相平行的光波导，在互相平行的两段光波导中的一段上方设置栅格电极；所述的栅格电极由两条横向电极及连接横向电极的多条纵向电极构成，构成栅格电极的两条横向电极之间的宽度与所述的互相平行的两段光波导之间的宽度之比为：1∶2～5，纵向电极的宽度L1与横向电极的长度L2之比为：L2∶L1＝1∶20～30，横向电极的长度L2与所述的互相平行的两段光波导的长度L3之比为：L3∶L2＝1～0.05∶1。