[发明专利]绝缘栅双极型晶体管芯片制造方法及装置有效
| 申请号： | 200910243499.8 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102110605A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵亚民 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/68;H01L21/225;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT芯片制造方法：在对硅衬底中已研磨或抛光的正面进行半导体杂质注入或扩散操作，在背面研磨或抛光后的硅衬底的背面增加电阻率不高于预设电阻率值的衬底支撑片或支撑层；对背面增加有衬底支撑片或支持层的硅衬底的正面进行腐蚀处理；控制背面增加的衬底支撑片或支持层进行扩散，在硅衬底中生成P型离子扩散层，并进行外层封装处理，生成绝缘栅双极型晶体管芯片。本发明还公开了另外一种IGBT芯片制造方法及两种IGBT芯片制造装置。采用本发明可以解决现有技术提供的IGBT芯片制造方法影响产品良率和加工效率，实现难度较大，会耗费大量的资源的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 芯片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管芯片制造方法，其特征在于，包括：在对硅衬底中已研磨或抛光的正面进行半导体杂质注入或扩散操作；对所述硅衬底未研磨或抛光的背面进行研磨或抛光；并在背面研磨或抛光后的硅衬底的背面增加电阻率不高于预设电阻率值的衬底支撑片或支撑层；对背面增加有所述衬底支撑片或支持层的硅衬底的正面进行腐蚀处理；控制背面增加的所述衬底支撑片或支持层向硅衬底进行扩散，在硅衬底中生成P型离子扩散层；对生成P型离子扩散层的衬底支撑片或支持层进行外层封装处理，生成绝缘栅双极型晶体管芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
