[发明专利]一种清洗半导体中的聚合物的方法有效

专利信息
申请号: 200910243709.3 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN102107196A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 刁宇飞;林国胜;宋磊;蔡新春;华文森 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种清洗半导体中的聚合物的方法,属于半导体制作领域,为解决目前在半导体制作过程中清洗聚合物时,铝片上产生白色痕迹现象而发明。所述方法包括:将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中,由所述冲洗槽底部向上喷水,直到溢水,使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间,再将所述水排放;从所述冲洗槽底部向上喷水,同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水,直到所述水充满所述冲洗槽,再将所述水排放;其中,所述水为去离子水。本发明可用于清洗制作半导体过程中残留的聚合物。
搜索关键词: 一种 清洗 半导体 中的 聚合物 方法
【主权项】:
一种清洗半导体中的聚合物的方法,其特征在于:包括:将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中,由所述冲洗槽底部向上喷水,直到溢水,使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间,再将所述水排放;从所述冲洗槽底部向上喷水,同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水,直到水充满所述冲洗槽,再将所述水排放;其中,所述水为去离子水。
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