[发明专利]一种清洗半导体中的聚合物的方法有效
申请号: | 200910243709.3 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN102107196A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 刁宇飞;林国胜;宋磊;蔡新春;华文森 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种清洗半导体中的聚合物的方法,属于半导体制作领域,为解决目前在半导体制作过程中清洗聚合物时,铝片上产生白色痕迹现象而发明。所述方法包括:将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中,由所述冲洗槽底部向上喷水,直到溢水,使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间,再将所述水排放;从所述冲洗槽底部向上喷水,同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水,直到所述水充满所述冲洗槽,再将所述水排放;其中,所述水为去离子水。本发明可用于清洗制作半导体过程中残留的聚合物。 | ||
搜索关键词: | 一种 清洗 半导体 中的 聚合物 方法 | ||
【主权项】:
一种清洗半导体中的聚合物的方法,其特征在于:包括:将残留有聚合物的半导体放入冲洗槽中,由所述冲洗槽底部向上喷水,直到溢水,使得所述水持续溢出所述冲洗槽预定时间,再将所述水排放;从所述冲洗槽底部向上喷水,同时从所述冲洗槽的顶部向所述半导体喷水,直到水充满所述冲洗槽,再将所述水排放;其中,所述水为去离子水。
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