[发明专利]一种制备体硅围栅金属半导体场效应晶体管的方法

摘要

一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线MOSFETs的方法：局部氧化隔离或浅槽隔离，在体硅上垫积缓冲SiO2氧化层/SiN介质层，电子束曝光，刻蚀两个距离较近的凹槽，垫积SiN侧墙，各向同性刻蚀Si，干氧氧化，湿法刻蚀去除SiN，应力自限制氧化形成纳米线，垫积并各向异性刻蚀氧化物介质层，并平坦化表面，湿法刻蚀释放纳米线的同时保留底部足够厚SiO2作隔离，长栅介质和垫积栅材料，反刻栅并以栅介质为阻挡层各向同性刻蚀栅材料，源/漏浅注入，垫积和刻蚀侧墙，源/漏深注入，形成接触。本发明消除了自加热效应和浮体效应，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。

主权项

一种基于准平面工艺制备体硅围栅纳米线金属半导体场效应晶体管的方法，其主要步骤是：1)N阱和P阱形成；2)场区光刻，场区注入，局部氧化隔离或浅槽隔离；3)垫积缓冲SiO2氧化层/SiN介质层；4)正性电子束曝光并刻蚀介质层形成凹槽；5)垫积缓冲SiO2氧化层和SiN并刻蚀形成侧墙；6)各向同性刻蚀Si；7)第一步干氧氧化；8)湿法腐蚀去除剩余的SiN；9)第二步干氧氧化形成纳米线；10)垫积并各向异性刻蚀硅酸四乙酯或低温垫积氧化物，然后平坦化表面；11)湿法刻蚀各向同性释放纳米线；12)淀积栅介质；13)淀积栅电极材料；14)各向异性刻蚀栅电极；15)各向同性刻蚀栅电极；16)源漏延伸区注入；17)各向同性淀积SiN并各向异性刻蚀形成侧墙；18)源漏深注入；19)形成硅化物；20)金属化。