[发明专利]形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200910243852.2 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102110710A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层。在本发明实施例中通过在栅极之下的沟道内增加的嵌入应力层，可以有效地增加载流子的迁移率，从而改善晶体管的驱动电流。另外，在本发明形成该嵌入应力层的工艺流程中具有较低的热预算，因此有助于在沟道区域保持较高的应力级别。另外，除了应力方面的优势外，沟道内的嵌入应力层还可以减少从重掺杂源极和漏极区域的B(硼)的扩散/侵入。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟道 应力 半导体 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种形成有沟道应力层的半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层。
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