[发明专利]具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法有效
| 申请号： | 200910244132.8 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110611A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过直接在NMOS的源极区、漏极区上方的接触孔中形成具有拉应力性质的材料，例如钨，从而对NMOS器件的沟道区施加拉应力。而后去除所述NMOS器件的栅堆叠中的伪栅极层，以使栅堆叠对沟道区的反作用力进一步减小，从而提高沟道区域的拉应力，提高载流子的迁移率，改善器件的性能。本发明避免采用单独的应力层来改善NMOS器件沟道区的拉应力，有利地简化了器件制造工艺，同时改善了器件的尺寸和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 载流子 迁移率 nmos 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有改善的载流子迁移率的N型场效应晶体管器件的制造方法：在衬底上形成N型场效应晶体管器件，所述器件具有包括栅极介质层、金属栅层和伪栅极层的栅堆叠，以及源极区和漏极区；覆盖所述器件的源极区、漏极区和栅堆叠形成接触刻蚀停止层；在所述接触刻蚀停止层中分别形成位于源极区和漏极区上方的第一对接触孔，所述接触孔临近所述栅堆叠设置；在所述第一对接触孔中形成具有拉应力性质的材料，从而对所述器件的沟道区域施加拉应力；移除所述伪栅极层，以提高沟道区域的拉应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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