[发明专利]用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法有效
申请号: | 200910244354.X | 申请日: | 2009-12-29 |
公开(公告)号: | CN102110515A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 王云鹏;王文秀;刘东屏;韩秀峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01F10/10 | 分类号: | H01F10/10;H01F41/14 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法。该用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜,包括被钉扎层、间隔层和自由层,其中所述间隔层为非两性有机材料。采用本发明的方法能得到高均匀性的有机膜,形成的器件质量轻,且制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 用于 有机 致电 器件 磁性 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜,包括被钉扎层、间隔层和自由层,其特征在于,所述间隔层为非两性有机材料。
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