[发明专利]一种CMOS集成电路抗辐照加固电路有效
| 申请号： | 200910244519.3 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102118152A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03K19/007 | 分类号： | H03K19/007;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS集成电路抗辐照加固电路，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管，一个为n型沟道场效应晶体管(102)，一个为p型沟道场效应晶体管(103)。利用本发明，对CMOS集成电路中敏感的逻辑门电路进行抗辐照加固，在集成电路面积和速度之间折中，明显提高了CMOS集成电路抗单粒子翻转的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 集成电路 辐照 加固 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS集成电路抗辐照加固电路，其特征在于，该电路包括一个容易发生单粒子翻转的逻辑门电路(100)和一个冗余逻辑门电路(101)，逻辑门电路(100)和冗余逻辑门电路(101)共用一个输入端，逻辑门电路(100)的输出端与冗余逻辑门电路(101)的输出端之间连接有两个并联连接的场效应晶体管，一个为n型沟道场效应晶体管(102)，一个为p型沟道场效应晶体管(103)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910244519.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种风积沙隧道的施工方法
- 下一篇：一种转子压缩机径向排气结构
