[发明专利]一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法

摘要

一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅锗薄膜，气体的流量为：硅烷(5-10)sccm、锗烷(0.5-1.0)sccm、氢气(100-200)sccm、氦气与氢气的流量比为1∶1～5。本发明的有益效果是：该法制备的微晶硅锗薄膜具有窄带隙、低缺陷和高光敏性等优点，且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。

主权项

一种采用氦氢气体混合共稀释法制备微晶硅锗薄膜的方法，其特征在于包括下述步骤：1)将带有T的玻璃衬底G放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷和锗烷、稀释气体氦气和氢气的条件下，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积微晶硅锗薄膜。