[发明专利]一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统无效
| 申请号： | 200910245083.X | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101724821A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;耿新华;李林娜;张德坤;张建军;赵颖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 李益书 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统，可以有效地改变靶材表面的磁场强度和分布状态，减少和避免磁控溅射过程中产生的高能粒子对硅薄膜太阳电池的轰击作用，改善透明导电氧化物TCO和硅Si薄膜的界面特性，可以明显提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 生长 薄膜 电池 结构 磁控溅射 系统 | ||
【主权项】：
一种可调控生长硅薄膜电池陷光结构薄膜的磁控溅射系统，其特征在于，包括有真空的溅射室，所述溅射室内设置有平面溅射源和衬底，所述平面溅射源与外接电源相连接，所述衬底位于平面溅射源的上方且接地，所述衬底上用于放置待镀膜的样品；所述平面溅射源包括从上到下依次互相连接的溅射靶材、铜Cu背板、铁Fe质调控板和磁铁系统。
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