[发明专利]金属膜堆叠的制造方法及包含该金属膜堆叠的集成电路无效
| 申请号： | 200910246292.6 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101882600A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 许汉辉;杨大弘;洪士平;吴明宗;魏安祺;李庆雄;韦国梁 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种金属膜堆叠的制造方法及包含该金属膜堆叠的集成电路。该在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其包括：在一内连线结构上直接沉积一金属层，该内连线结构包括设置于一层间介电质中的多个导电插塞；以及在该金属层上直接沉积一抗反射涂布层。该金属膜堆叠的制造方法，其用以降低或消除光微影对不准的不良效应。藉由底部氮化钛阻障物的移除，而增加底部关键尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 堆叠 制造 方法 包含 集成电路 | ||
【主权项】：
一种在集成电路中的金属膜堆叠的制造方法，其特征在于其包括：在一内连线结构上直接沉积一金属层，该内连线结构包括设置于一层间介电质中的多个导电插塞；以及在该金属层上直接沉积一抗反射涂布层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
