[发明专利]光刻胶的去除方法无效
| 申请号： | 200910246311.5 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102073227A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 肖玉洁;朱旋;谢宝强;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种光刻胶的去除方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的表面上形成有光刻胶层；使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第一步灰化，第一步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第一功率；使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第二步灰化，第二步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第二功率，所述第二功率大于第一功率。本发明改善了光刻胶的去除效果，消除了色差缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的表面上形成有光刻胶层；使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第一步灰化，第一步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第一功率；使用氧气等离子体对所述光刻胶层进行第二步灰化，第二步灰化中产生所述氧气等离子体的激励源功率为第二功率，所述第二功率大于第一功率。
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