[发明专利]半导体元件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910246925.3 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101714540A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 资重兴 | 申请（专利权）人： | 杰群科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/29;H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 英属维京群*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元件及半导体元件的制作方法，该半导体元件包括有一晶粒、一金属层及/或一背金属层，其中晶粒经由一粘合层与一基板或一导电架相连接，此外，该粘合层可由铝所制成，且晶粒可以一超音波接合技术与基板或导电架相连接，借此将可避免制作过程中所产生的高温对晶粒造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于包括有：一导电架；一晶粒，设置在该导电架上；及一粘合层，设置在该导电架及该晶粒之间，其中该粘合层内包括有铝。
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