[发明专利]晶片键合方法有效
| 申请号： | 200910246943.1 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101853864A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 刘丙寅;许家豪;喻中一;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片键合方法，提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面、背面和第一边缘部分的器件衬底，在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层，修剪第一边缘部分，移除材料层，将器件衬底的正面键合到载体衬底，从背面减薄器件衬底，修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：提供具有正面、背面和第一边缘部分的器件衬底；在器件衬底的正面的一部分的上方形成材料层；修剪所述第一边缘部分；移除所述材料层；将所述器件衬底的正面键合到所述载体衬底；从背面减薄所述器件衬底；和修剪减薄的器件衬底的第二边缘部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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