[发明专利]探针卡及栅氧化层介质击穿测试方法有效
| 申请号： | 200910247421.3 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102109569A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李爱民;赵晓东;牛刚;李良;林立平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅氧化层介质击穿测试方法，包括以下步骤：在探针卡上的探针中选取用于测试的测试探针；将所述测试探针与测试机连接，并在测试探针与测试机间的连接通路上连接限流电阻；将所述测试探针接触测试样品上与栅氧化层导通的焊点；通过所述测试机向所述测试样品上的栅氧化层施加从零伏开始随时间线性增加的电压，与此同时测得在各个电压值下栅氧化层上的电流值，直至测到的电流值增大到一定阈值，表示栅氧化层被击穿。本发明提供的探针卡及栅氧化层介质击穿测试方法在测试时可有效地防止栅氧化层被击穿时产生的较大漏电流对探针卡和测试机的损伤，且可保证增加了限流电阻后仍能准确的测试出栅氧化层的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 探针 氧化 介质击穿 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种栅氧化层介质击穿测试方法，包括以下步骤：在探针卡上的探针中选取用于测试的测试探针；将所述测试探针与测试机连接，并在测试探针与测试机间的连接通路上连接限流电阻；将所述测试探针接触测试样品上与栅氧化层导通的焊点；通过所述测试机向所述测试样品上的栅氧化层施加从零伏开始随时间线性增加的电压，与此同时测得在各个电压值下栅氧化层上的电流值，直至测到的电流值增大到一定阈值，表示栅氧化层被击穿。
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